Модуль IGBT CM1000DXL-24S Mitsubishi




Подробнее


Технические параметры

Структураполумост
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A900
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт7500
Рабочая температура (Tj), °C-40…+150
Тип
Полупроводниковые