IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.




Подробнее


Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.

Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов 

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А200
Структура модуля3-фазный мост+тормозной транзистор
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц20
Входная емкость затвора,нФ35
Драйвер управленияVLA504
Защита по токунет
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт1160
Максимальный ток эмиттера, А400
Напряжение изоляции, В2500
Температурный диапазон,С-40...150
Тип
Полупроводниковые