Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1300 |
Входная емкость затвора,нФ | 72 |
Драйвер управления | внешний |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Защита по току | нет |
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6250 |
Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5.5 |
Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
Напряжение изоляции, В | 4000 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2.3 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |