IGBT модули Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2.4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность. Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля. В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Защита по току | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.1 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2.1 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| DC Ток Коллектора | 150А |
| IGBT Configuration | Dual(Half Bridge) |
| IGBT Technology | IGBT 5(Trench Gate) |
| IGBT Termination | Tab |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | A Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.2кВ |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Рассеиваемая Мощность | 960Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |