F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость. Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех. Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.
| Структура | одиночный тр-р |
| Наличие схем управления/защиты в составе модуля | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Максимально допустимый импульсный ток э,А | 900 |
| Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В | 1.85 |
| Температурный диапазон,С | -40…125 |