IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.
Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.
Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Защита по току | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.8 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |