PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия




Подробнее


Технические параметры

Макс.напр.к-э,В1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А50
Тип
Полупроводниковые